mos管导通条件
2024-07-31
来源:欧得旅游网
1、电压:MOSFET的导通电压为VGS,即栅极加正电压(VD),由于MOS管是场效应晶体管,其输入电阻很小,只要VGS大于VD就可以使MOSFET导通。
2、电流:饱和电流是指流过MOS管的直流或脉冲电流值,对于单沟道增强型NPN型器件而言,其饱和电流不超过10A每dt,而对于双沟道增强型NPN型和P沟道增强型NPN型器件而言,其饱和电流可达几十A每dt甚至几百A每dt以上,阈值电路的作用主要是限制过载和防止短路现象发生。
3、温度:结温是指晶体管的基区、发射区和集电极的温度之和称为结温(也称允许工作温度),正常情况下结温小于摄氏度.高于此温度范围将导致管子损坏或寿命缩短,环境温度指周围空气的温度总和称为环境温度(又称额定工作温度)。
4、MOS管是一种金属氧化物半导体场效应晶体管,也被称作金属—氧化物—半导体(MetalOxideSemiconductor)场效应管,简称MOSFET,属于场效应管的一种类型,特别指绝缘栅型场效应管,在电子电路中,MOS管应用于放大电路或开关电路。
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