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一种基于MEMS技术的电容薄膜真空计

2021-10-18 来源:欧得旅游网
(19)中华人民共和国国家知识产权局

(12)发明专利申请

(21)申请号 CN201911362566.8 (22)申请日 2019.12.26

(71)申请人 兰州空间技术物理研究所

地址 730000 甘肃省兰州市城关区渭源路97号

(10)申请公布号 CN111141443A

(43)申请公布日 2020.05.12

(72)发明人 李刚;成永军;何申伟;孙雯君;习振华;张瑞芳;杨利 (74)专利代理机构 北京理工大学专利中心

代理人 温子云

(51)Int.CI

权利要求说明书 说明书 幅图

(54)发明名称

一种基于MEMS技术的电容薄膜真空计

(57)摘要

本发明公开了一种基于MEMS技术的电容

薄膜真空计,基于MEMS技术,待测环境中气压的变化使感压薄膜产生位移,引起下基板电极与感压薄膜之间距离发生变化,从而改变了感压薄膜电极与下基板电极之间的电容值,通过测量电容值的大小即可得到待测环境的真空度,本发明能够显著降低真空计的尺寸和能耗,同时,通过根据测量需要使用不同参数的感压薄膜能够有效提高测量的灵敏度。

法律状态

法律状态公告日

2020-05-12 2020-05-12 2020-06-05

公开 公开

实质审查的生效

法律状态信息

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法律状态

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权利要求说明书

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说明书

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