专利名称：一种改善先栅极工艺高K栅电介质CMOS可靠性的
方法
专利类型：发明专利发明人：谢欣云,陈玉文申请号：CN201110160328.6申请日：20110615公开号：CN102420190A公开日：20120418
摘要：本发明一般涉及半导体制造领域中的一种改善NMOS热载流子效应及PMOS负偏置温度不稳定性效应的方法，更确切的说，本发明涉及一种改善先栅极工艺高K栅电介质NMOS热载流子效应及PMOS负偏置温度不稳定性效应的方法。本发明公开了一种改善先栅极工艺高K栅电介质MOS可靠性的方法，通过在先栅极工艺制程中，于多晶硅栅形成后，即在栅极中通过离子注入工艺注入氟离子，经过热处理工艺，在界面处形成稳定的化学键，有效的提高NMOS器件抗HCI效应和PMOS器件抗NBTI效应的性能。
申请人：上海华力微电子有限公司
地址：201210 上海市浦东新区张江高科技园区高斯路568号
国籍：CN
代理机构：上海新天专利代理有限公司
代理人：王敏杰
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