专利名称：一种制作复合半导体薄膜材料的方法专利类型：发明专利
发明人：李冬梅,侯成诚,刘明,周文,汪幸,闫学锋,谢常青,霍宗
亮
申请号：CN201010247619.4申请日：20100806公开号：CN102373470A公开日：20120314
摘要：本发明公开了一种制作复合半导体薄膜材料的方法，该方法包括：步骤1：采用光刻胶将敏感膜区外的基片盖上；步骤2：采用镀膜技术，将WO靶材料蒸发至基片表面形成膜；步骤3：采用镀膜技术在己淀积WO薄膜的基片上淀积一层Au膜；步骤4：采用镀膜技术在己淀积WO和Au薄膜的基片上淀积一层碳纳米管薄膜；步骤5：去除光刻胶，并封装。利用本发明，实现了在常温下声面波气体传感器对低浓度HS气体的检测，且提高了手持式SAW气体传感器对HS气体的灵敏度与选择性。
申请人：中国科学院微电子研究所
地址：100029 北京市朝阳区北土城西路3号
国籍：CN
代理机构：中科专利商标代理有限责任公司
代理人：周国城
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