专利名称：一种低噪声放大器及其控制方法专利类型：发明专利
发明人：金莉,姜学平,叶天翔,张亚朋申请号：CN201610935564.3申请日：20161101公开号：CN107040225A公开日：20170811
摘要：本发明提供了一种低噪声放大器及其控制方法，其特征在于，所述低噪声放大器包括第一NMOS晶体管单元、第二NMOS晶体管单元、PMOS晶体管单元和输出级电路；第一NMOS晶体管单元的栅极连接低噪声放大器的输入端，源极连接电流源后接地，漏极分别与第二NMOS晶体管单元的栅极和输出级电路连接；第二NMOS晶体管的源极与输入端连接，漏极与输出级电路连接；PMOS晶体管单元的栅极与输入端连接，源极连接于输出级电路与第二NMOS晶体管单元的漏极之间，漏极连接于第一NMOS晶体管单元的漏极与第二NMOS晶体管单元的栅极之间。与现有技术相比，本发明提供的一种低噪声放大器及其控制方法，可以分别对低噪声放大器的噪声系数、带宽、增益和输入阻抗匹配进行独立优化调节。
申请人：全球能源互联网研究院,国网天津市电力公司,国家电网公司
地址：102209 北京市昌平区未来科技城北区国网智能电网研究院院内
国籍：CN
代理机构：北京安博达知识产权代理有限公司
代理人：徐国文
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