（12）发明专利申请
（21）申请号 CN201711102749.7 （22）申请日 2017.11.09
（71）申请人 中国科学院微电子研究所
地址 100029 北京市朝阳区北土城西路3号
（10）申请公布号 CN108039368A
（43）申请公布日 2018.05.15
（72）发明人 徐秋霞;许高博;陶桂龙;李俊峰;陈大鹏;叶甜春 （74）专利代理机构 中科专利商标代理有限责任公司
代理人 任岩
（51）Int.CI
权利要求说明书 说明书 幅图
（54）发明名称
N型MOSFET的制作方法
（57）摘要
本发明公开了一种N型MOSFET的制作方
法，包括：在衬底上形成N型MOSFET的一部分，包括：在衬底上方的假栅叠层以及围绕假栅叠层的栅极侧墙；去除假栅叠层以形成栅极开口；在栅极开口处依次形成界面氧化物层、高K栅介质层和第一金属栅层；利用各向同性的等离子体掺杂在第一金属栅层中掺杂离子，使掺杂离子仅仅分布在第一金属栅层中；在第一金属栅层上形成第二金属栅层以填充栅极开口；以及进行退火处
理使掺杂离子扩散并聚积在高K栅介质层与第一金属栅层之间的上界面处以及高K栅介质层与界面氧化物层之间的下界面处，并且在该上界面处、下界面处通过界面反应形成电偶极子。该方法解决了离子注入阴影效应、小能量注入时的能量污染等问题。
法律状态
法律状态公告日
2018-05-15 2018-05-15 2018-06-08
法律状态信息
公开 公开
实质审查的生效
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公开 公开
实质审查的生效
权利要求说明书
N型MOSFET的制作方法的权利要求说明书内容是....请下载后查看
说明书
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