多晶硅栅极、侧墙、半导体器件及其形成方法

（12）发明专利申请

（21）申请号 CN200810113994.2 （22）申请日 2008.05.30

（71）申请人 中芯国际集成电路制造(北京)有限公司

地址 100176 北京市北京经济技术开发区文昌大道18号

（10）申请公布号 CN101593687A

（43）申请公布日 2009.12.02

（72）发明人 张海洋;张世谋

（74）专利代理机构 北京集佳知识产权代理有限公司

代理人 李丽

（51）Int.CI

H01L21/28; H01L21/336; H01L29/78; H01L29/423;

权利要求说明书 说明书 幅图

（54）发明名称

多晶硅栅极、侧墙、半导体器件及其形成方法

（57）摘要

一种多晶硅栅极形成方法，包括：在基底

上形成牺牲层；在所述牺牲层内形成沟槽，所述沟槽与基底之间夹有第一介质层；形成覆盖所述牺牲层及所述沟槽侧壁及底壁的第二介质层；刻蚀所述第二介质层，在所述沟槽侧壁形成具有弧

面壁的侧墙；形成填充所述沟槽并覆盖所述牺牲层的多晶硅层；执行平坦化操作，去除覆盖所述牺牲层的多晶硅层，暴露所述牺牲层；去除所述牺牲层；形成至少暴露填充所述沟槽的多晶硅层的阻障层；在暴露的所述多晶硅层上形成硅化物，形成多晶硅栅极。本发明还提供了一种半导体器件形成方法、一种侧墙形成方法、一种多晶硅栅极、一种侧墙和一种半导体器件。可扩大形成钴化硅时的工艺窗口。

法律状态

法律状态公告日

法律状态信息

2009-12-02 公开

2010-01-27 实质审查的生效 2011-11-30

授权

法律状态

公开

实质审查的生效 授权

权利要求说明书

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说明书

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