专利名称：薄膜晶体管及其制造方法专利类型：发明专利
发明人：廖大传,郑晃忠,戴亚翔,陈司芬申请号：CN200910305192.6申请日：20090804公开号：CN101621077A公开日：20100106
摘要：本发明提出一种薄膜晶体管，此薄膜晶体管包括一多晶硅岛状物、一闸绝缘层、一闸极堆栈层以及一介电层。多晶硅岛状物包括一源极区以及一汲极区，而闸绝缘层覆盖多晶硅岛状物。闸极堆栈层配置于闸绝缘层上，其中闸极堆栈层包括一第一导电层以及一第二导电层。第一导电层的长度小于第二导电层的长度。介电层覆盖闸绝缘层与闸极堆栈层，因而于第二导电层与闸绝缘层之间构成多个腔洞。
申请人：华映光电股份有限公司,中华映管股份有限公司
地址：350015 福建省福州市马尾科技园区兴业路1号
国籍：CN
代理机构：福州元创专利商标代理有限公司
代理人：蔡学俊
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