（12）发明专利申请
（21）申请号 CN201710997850.7 （22）申请日 2017.10.24
（71）申请人 贵州芯长征科技有限公司
地址 550081 贵州省贵阳市观山湖区林城西路摩根中心A座10层A-10-003号
（10）申请公布号 CN107768371A
（43）申请公布日 2018.03.06
（72）发明人 徐承福;朱阳军
（74）专利代理机构 苏州国诚专利代理有限公司
代理人 韩凤
（51）Int.CI
权利要求说明书 说明书 幅图
（54）发明名称
集成肖特基结的超结MOSFET结构及其制备方法
（57）摘要
本发明涉及一种集成肖特基结的超结
MOSFET结构及其制备方法，其利用第二导电类型第一柱、第二导电类型第二柱与第一导电类型漂移层能形成所需的超结结构，源极金属通过第一欧姆接触孔与第二导电类型第一体区以及位于所述第二导电类型第一体区内的第一导电类型体区欧姆接触，源极金属通过第二欧姆接触孔与第二导电类型第二体区以及位于所述第二导电类型第二体区内的第一导电类型体区欧姆接触，源极金
属通过肖特基接触孔与第一导电类型漂移层形成肖特基结，从而实现在超结MOSFET结构内实现肖特基结的集成，在降低导通的同时，能进一步提高超结MOSFET器件的开关速度以及反向恢复速度。
法律状态
法律状态公告日
2018-03-06 2018-03-06 2018-03-30
法律状态信息
公开 公开
实质审查的生效
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权利要求说明书
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说明书
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