专利名称：形成存储器电容的方法专利类型：发明专利
发明人：张峰溢,李甫哲,陈界得申请号：CN201710826528.8申请日：20170914公开号：CN109509836A公开日：20190322
摘要：本发明公开一种形成存储器电容的方法。首先提供一基底，基底中具有多个存储垫，然后在基底上形成一图案化支撑层。在图案化支撑层上形成一底电极层，底电极层共形地形成在图案化支撑层上以及其开口的表面上，并接触存储垫。接着在底电极层上形成一牺牲层。后续进行一软蚀刻工艺，以移除位于图案化支撑层的顶面上以及位于开口的部分侧壁上的底电极层，其中软蚀刻工艺包含使用一含氟化合物、一含氮与氢化合物以及一含氧化合物。接着完全移除牺牲层，并移除部分的图案化支撑层，在底电极层上形成一电容介电层，最后在电容介电层上形成一顶电极层。
申请人：联华电子股份有限公司,福建省晋华集成电路有限公司
地址：中国台湾新竹市
国籍：TW
代理机构：北京市柳沈律师事务所
代理人：陈小雯
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