（12）实用新型专利
（21）申请号 CN201921289193.1 （22）申请日 2019.08.09
（71）申请人 西安卫光科技有限公司
地址 710065 陕西省西安市电子二路61号
（10）申请公布号 CN210272374U
（43）申请公布日 2020.04.07
（72）发明人 丁文华;习毓;陈骞;周新棋;智晶;田欢 （74）专利代理机构 西安通大专利代理有限责任公司
代理人 高博
（51）Int.CI
权利要求说明书 说明书 幅图
（54）发明名称
一种内引线MOSFET版图结构及MOSFET芯片
（57）摘要
本实用新型公开了一种内引线MOSFET版
图结构及MOSFET芯片，包括MOSFET版，MOSFET版上设置有结终端，结终端的内部设置有元胞区，元胞区内设置有栅Pad和源pad。本实用新型取消了元胞区和结终端区的过渡区域，元胞区周围可以直接设计结终端区，从而有效缩小了芯片尺寸，适用于小电流的MOSFET芯片。
法律状态
法律状态公告日
2020-04-07
授权
法律状态信息
授权
法律状态
权利要求说明书
一种内引线MOSFET版图结构及MOSFET芯片的权利要求说明书内容是....请下载后查看
说明书
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