专利名称：一种具备迟滞效应的自恢复欠电压保护电路专利类型：实用新型专利发明人：许哲,张健,李爱玲申请号：CN202020521911.X申请日：20200410公开号：CN212231072U公开日：20201225
摘要：本实用新型公开了一种具备迟滞效应的自恢复欠电压保护电路，该电路通用性强、实现简单、成本低廉。该电路结构中限流电阻一端接外部直流电源VCC，另一端接入稳压器的CATHODE端，稳压器REF端接反馈电阻网络的中端，反馈电阻网络一端接第一增强型PMOS管的栅极，另一端与电源地GND连接；稳压器的CATHODE端连接第一增强型PMOS管的栅极；稳压器REF端连接第二增强型PMOS管的源极，同时第二增强型PMOS管的漏极通过迟滞补偿电阻与电源地GND连接；第一增强型PMOS管的源极连接外部直流电源VCC，漏极连接第二增强型PMOS管栅极和增强型NMOS管栅极，同时通过下拉电阻连接至电源地GND；增强型NMOS管漏极与负载网络的地回线连接，其源极与电源地GND连接。
申请人：中国科学院西安光学精密机械研究所
地址：710119 陕西省西安市高新区新型工业园信息大道17号
国籍：CN
代理机构：西安智邦专利商标代理有限公司
代理人：唐沛
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