专利名称：一种生产有机发光二极管用氧化铟的方法专利类型：发明专利发明人：赵科湘
申请号：CN201210521065.1申请日：20121207公开号：CN102936035A公开日：20130220
摘要：本发明公开了一种生产有机发光二极管（OLED）用氧化铟的方法。本发明的目的在于提供一种生产有机发光二极管用氧化铟的方法。本发明的特征在于以下步骤：A、将精铟、催化剂和纯水按重量固液比1:0.001：5的比例加入反应釜中，在270-370℃下加热，在4-20MPa下加压，使纯水处于超临界状态；B、搅拌30分钟，使铟完全变成氢氧化铟；C、将步骤B得到的氢氧化铟在450-650℃下煅烧，即制得氧化铟。所述的精铟的纯度为99.995%。所述的纯水为电导率等于18.25兆欧/厘米的纯水。本发明主要用于生产OLED用氧化铟。
申请人：株洲科能新材料有限责任公司
地址：412000 湖南省株洲市荷塘区金山工业园内
国籍：CN
代理机构：株洲市奇美专利商标事务所
代理人：刘国鼎
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