目 录
一．字符型模块的性能・・・・・・・・・・・・・二．基本原理・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・三．技术参数・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・四．时序特性・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・五．引脚、指功能・・・・・・・・・・・・・・・・・六．使用实例・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・七．使用注意事项・・・・・・・・・・・・・・・・・1
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1． 字符型模块的性能
重量轻：＜100g； 体积小：＜11mm厚； 功耗低：10—15mW；
显示内容：192种字符（5×7点字型）；
32种字符（5×10点字型）；
可自编8（5×7）或许（5×10）种字符；
指令功能强：可组合成各种输入、显示、移位方式以满足不同的要求； 接口简单方便：可与8位微处理器或微控制器相联； 工作温度宽：0—50ｏC
可靠性高：寿命为50,000小时（25ｏC） 2． 基本原理 2.1 液晶体
液晶板上排列着若干5×7或5×10点阵的字符显示位,每个显示位可显示1个字符，从规格上分为每行8、16、20、24、32、40位，有一行、两行及四行三类。
2.2 工作电路
图1是字符型模块的电路框图，它由KS0066、KS0065及几个电阻电容组成。KS0065是扩展显示字符用的（例如：16个字符×1行模块就可不用KS0065，16个字符×2行模块就要用1片KS0065）。
图1
接口方面，有8条数据，三条控线。可与微处理器或微控制相连,通过送入数据和指令，就可使模块正常工作，图2是模块和微处理器相连的例子。
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图2
2.3 LCD驱动器和控制器 2.3a LCD驱动器KS0065
KS0065是用低功耗CMOS技术制造的大规模LCD驱动IC。它既可当行驱动用，也可以当列驱动用，由20×2Bin二进制移位寄存器、20×2Bin数据锁存器和20×2Bin驱动器组成（如图3所示）。 BLOCKDIAGRAM
△功能（FUNCTION）
a 40通道点阵LCD驱动； b 可选择当做行驱动或列驱动；
c 输入/输出信号：输出，能产生20×2个LCD驱动波型；输入，接
受控制器送出的串行数据和控制信号，偏压（V1—V6）； △特性（FEATURES）
a 显示驱动偏压低：静态~1/5；
2
b 电源电压：+5V+10%； c 显示驱动电源：－5V； d CMOS处理； e 60引脚、塑封； 2.3 b LCD控制器KS0066
见图4，KS0066是用低功耗CMOS技术制造的大规模点阵LCD
控制器（兼带驱动器），和4Bin/8Bin微处理器相连连，它能使点阵LCD显示大小英文字母、符号。应用KS0066，用户能有少量元件就可组成一个完整点阵LCD系统。 △特性
a 容易和Bin/8Bin Mpu 相连； b 可选择5×7或5×10点字符；
c 显示数据RAM容量：80×8Bin（80字符）；
d 字符发生器ROM能提供户所需字符库或标准库； 字符容量：192个字符（5×7点字符）； 32个字符（5×10点字符）； e DDRAM和CGRAM都能从Mpu读取数据； f 输出信号：16个行扫信号（common singnal）， 40个列扫信号（sengment singnal） g 电源复位电路；
h 显示占空比：1/8duty（1Line，5×7dots+Cursor）； 1/11 duty（1Line，5×10dote+Cuesor）； 1/16 duty（2Line，5×7dots+Cuesir）； i 振荡电路； j 指令：11种； k 80引脚、塑封。
3
BLOCK DIAGRAM
3. 技术参数
3.1极限参数
标 准 值
名 称 符 号
单 位
MIN
TYPE MAX 电路电源 VDD-VSS
－0.3
7.0
V LCD驱动电压 VDD-VEE VDD－13.5 VDD+0.3 V 输入电压 VIN
－0.3 VDD+0.3
V 静电电压 －－－ －－－ 100 V 工作温度 －20 +70 ｏC 储存温度
－30
ｏC
4
3.2电参数
标 准 值
名 称 输入高电压 输入低电压 输出高电压 输出低电压 工作电流
符 号
测试条件
MIN
TYPE 2.0 4.9 4.7 4.5
MAX
单 位
VIH VIL VOH VOL IDD
VDD－ＶEE
----
---- IOH=0.2mA IOL=1.2mA
2.2
－0.3 2.4 ----
VDD
0.6 ---- 0.4 2.4
V V V V MA
VDD=5.0V
T.=0ｏC T.25ｏC T.50ｏC
液晶驱动电压
V
3.3光学参数
标 准 值
名 称 视觉 对比度 上升时间 下降时间
5
符 号 θ1=θ２ K tr td
测试条件
MIN
K＞＝２．０ ？2=20ｏ Φ＝０ｏ
？＝２０ｏ ？＝２０ｏ
2.5 8.0
TYPE 100 150
NAX 150 200
单 位 deg ms ms
4．时序特性 4.1读写时序
TIMING GHART
Ltem （项目） Enable Cycle Time （允许时间周期）
Masuring Condition
（符号） 测试条件
Symbol TcycE
（标准值） Standard Value
min. 1000 450 ---- 140 ---- 195 10 20
typ. ---- ---- ---- ---- ---- ---- ----
max. ---- 25 ---- 320 ---- ---- ----
单位 Unit nS nS nS nS nS nS nS nS
Enable Pulse Width，High
PW cH
Level(允许脉冲宽度、高电平) Enable Rise and Decay Ttime （允许上升和下降时间） Address Setup Tine，Rs，R/W-E（地址建立时间） Data Delay Time （数据延迟时间） Data Setup Ttime （数据建立时间） Data Hold Time （数据保持时间） Data Hold Time Addreee Hold Time （地址保持时间）
tErtEf TAS tDDR
5.la、b
TH tDHR TAH
10 ---- ---- nS
6
※ VCC=5.0V±5%、Ta=25ｏ
4.1 la WRITE OPERATION （写操作） 5. lb READ OP ER ATION (读操作)
4.2 内部RESET电路对电源的要求
电源上升时间 电源下降时间
符合 TRON TOFF
测试条件 5.2 5.2
MIN 0.1 1.0
MAX 10 -----
单位 ms ms
如电源不能满足RESET电路的要，需要用指令程序进行初始化。 5．引脚、指令功能 5.1模块引脚功能
引脚号
符号
1
2 3
Vss VDD VEE
名称 接地 电路电源 液晶驱动电压 功能 0V 5V±10% 见图2
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4 5 6 7 ∣ 14
5.2寄存器选择功能 RS 0 0 1 1 RS R/W E DE0
∣
寄存器选择信号 读/写信号 片选信号 数据线
H：数据寄存器 L：指令寄存器
H：读 L：写 下降沿触发 数据传输
DE7
R/W 0 1 0 1 操作 指令寄存器(IR)写入 忙标志和地址计数器读出 数据寄存器(DR)写入 数据寄存器读出 备注：忙标志为“1”时，表明正在进行内部操作，此时不以输入指令或数据，
要等，内部操作结束时，忙标志“0”时。
5.3 指令功 格式：RS R/W DB7 DB6 DB5 DB4 DB3 DB2 DB1 DB0 共11种指令：清除、返回、输入方式设置、显示开关、控制、移位、功能设置、CGRAM地址设置、DDRAM地址设置、DDRAM地址设置、读忙地址和地址、写数据到CG/DDRAM、读数据由CG/DDRAM。
指令表
指令名称 清 屏 返 回 指 令 码 RS R/W DB7 DB6 DB5 DB4 DB3 DB2 DB1 L L L L L L L L L H L L L L L L L L H 清除屏幕，置AC为零 设DDRAM地址为零，显示 回原位，DDRAMM内容不变 输入方式设置 L L L L L L L H I/D S 设光标移动方向并指定整体 显示是否移动 说 明 执行周期 FCP=250KH2 1．64ms 1．64ms 40us 8
调整体显示开关（D），光标 显示开关控制 L L L L L L L H D C B 开关（C）及光标位的字符闪 耀（B） 移 位 L L L L L H S/C R/L 移动光标或整体显示，同时 不改变DD RAM 内容 投接口数据位数（DL）显示 行数（L）及字形（F） CG RAM地址 设置 DD RAM 地址设置 读忙信号（BF） 及地址高数器 写数据CG/DD RAM 读 数 据 由 CG/DD RAM L L L H ACG 设CG RAM地址，设置后DD RAM数据被发送和接收 设DD RAM地址，设置后DD RAM数据被发送和接收 读忙信号位（BF）判断内部 L H BL AC 操作正在执行并读地址计数 器内容 H L 写数据 写数据到CG或DD RAM 40us Tadd=6ns 40us Tadd=6ns 0us 40us 40us 功能设置 L L L L H DL N F 40us 40us L L H ADD 40us H H 读数据 I/D 1：增量方式，0：减量方式 S 1：移位 S/C1：显示移位，0：光标移位 写数据到CG或DD RAM DD RAM显示数据RAM CG RAM 字符生成RAM AC：用于DD和CG RAM 地址的地址计数器 执行周期随主频而改变 例如：当fcp或Fosc为270KH2 40us×250/270 R/L1：右移，0：左移 D L1：8位，0：4位 N 1：2行，0：1行 F 1：5×10。0：5×7 BF 1：内部操作，0：接收指令 RS ：寄存器选择 R/W ：读/写 =37us
5.4字符库及对应关系
5.4.1显示位与DD RAM地址的对应关系
显示位序号
DD RAM 地址（HEX）
1 2 3 4 5……40
第一行
00 01 02 03 04……27
9
第二行 40 41 42 43 44……67
5.4.2标准字符库
表2所示是字符库的内容、字符码和字形的对应关系。例如“A”的字符码
为41（HEX），“B”的字符码这42（HEX）。
5.4.3 自编字库（CG RAM）
字符码（DD RAM DATA）|CG RAM ADDREAA 与自编字形（CG RAM
DATA）之间关系如表3和表4年示。
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DD RAM DATA
CHARACTER CODES 7 6 5 4 3 2 1 0 MSB LSB
CG RAM ADDRESS 5 4 3 2 1 0 MSB LSB
CG RAM DATA
CHARACTER PETERNS 7 6 5 4 3 2 1 0 MSB LSB
备注：1 字符码的高4位为0000时它的低3位以应于第1—8个（000—111）
自编字形；
2 字形码的0—2位对应于
3 自编字形的列位置对应于CGRA DATA的0—4位，行位置对应于CGRAM ADDRESS的0—2位； 4 ×代表无效位；
DD RAM DATA
CHARACTER CODES 7 6 5 4 3 2 1 0 MSB LSB
CG RAM ADDRESS 5 4 3 2 1 0 MSB LSB
CG RAM DATA
CHARACTER PETERNS 7 6 5 4 3 2 1 0 MSB LSB
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5.5 初始化方法
用户所编的显示程序，开始必须进行初始化，否则模块无法正常显示，下而介绍两种初始化方法：
5.5.1 利用内部复位电路进行初始化
如果电路电源能满足图5.2a所示的条件的话，就可行初始化，下面指令
是在初始化进程中执行的。
（1） 清屏（DISPLAY CLEAR）； （2） 功能设置（FUNCTION SET）
DL=1:8Bin接口数据
N=0:1行显示；F=0:5×７ｄｏｔ字形；
（3） 显示开/关控制（Display ON/OFF Conrtol）
D=0：显示关；C=0：光标关；B=0：消隐关 （4） 输入方式设置（ENTRY MODE SET）
I/D=1：（增量）；S=0：无移位；
5.5.2 软件复位
如果电路电源不能满足复位电路的要求的话，那么初始化就要用软来
实现。过程如下：
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八位接口初始化流程图
电源开 ↓
VDD上升到4.5V后等待15ms
↓RS R/W DB7 DB6 DB5 DB4 DB3 DB2 DB1 DB0 0 0 0 0 1 1 × × × ×
↓等待＞１．１ｍｓ
RS R/W DB7 DB6 DB5 DB4 DB3 DB2 DB1 DB0 0 0 0 0 1 1 × × × ×
↓等待＞１００ｍｓ
RS R/W DB7 DB6 DB5 DB4 DB3 DB2 DB1 DB0 0 0 0 0 1 1 × × × ×
↓检查忙标志或延时４０ ｕｓ RS R/W DB7 DB6 DB5 DB4 DB3 DB2 DB1 DB0 0 0 0 0 0 0 N F × ×
↓检查忙标志或延时４０ ｕｓ 功能设置RS R/W DB7 DB6 DB5 DB4 DB3 DB2 DB1 DB0 0 0 0 0 0 0 1 0 0 0
↓检查忙标志或延时４０ ｕｓ 关显示RS R/W DB7 DB6 DB5 DB4 DB3 DB2 DB1 DB0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 1
↓检查忙标志或延时１．６４ｍｓ 清屏RS R/W DB7 DB6 DB5 DB4 DB3 DB2 DB1 DB0 0 0 0 0 0 0 0 1 1/D S
↓检查忙标志或延时４０ ｕｓ 设定输入方式 初始化结束
6．编程实例
16×2模块的使用为例
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步骤 1 指 令 RS R/W DB7 6 5 4 3 2 1 0 清 屏 0 0 0 0 0 0 0 0 0 1 显 示 123456789ABCDE0 操 作 清除屏幕 置AC为零 设置8位操作2行显示5×7点阵 显示开关 光标开闪耀光 设置开AC为增时方式显示不移动 写入“T” 写入“M” 改变显示位置到第1行第10位（第一行地址由00到27） 改变显示位置到第2行第1位（第一行地址由40到67） 设置AC为增量方式 显示移位 写入“S” 功能设置 2 0 0 0 0 1 1 0 0 × × 显示开关控制 3 0 0 0 0 0 0 1 1 1 0 输入方式设置 4 0 0 0 0 0 0 0 1 1 0 写数据到CG/DD 5 1 0 0 1 0 1 0 1 0 0 1 0 0 1 0 1 0 1 0 0 DD RAM 地址设置 0 0 1 0 0 0 1 0 1 0 6 0 9 ---- ---- ---- TM TM 7 重复步骤5 DD RAM地址设置 0 0 1 1 0 0 0 0 0 0 8 4 0 TM TM TM TM 9 重复步骤 输入方式设置 10 0 0 0 0 0 0 0 1 1 1 写数据到DD RAM 11 1 0 0 1 0 1 0 0 1 1
TM TM TM TM TM M TM MS 14
12 0 0 0 0 0 1 1 1 0 0 13
重复步骤12
TM TM TMS
TM TM TMS
显示向右移
位 继续向左移
动
返回
TM TM 返回原显示
14 0 0 0 0 0 0 0 0 1 TMS 位
0
请照指令表
7．使用注意事项
● 不得弯曲金属框的定位销，否则会影响LCD与驱动电路的接触，造成
失效；
● 不得按压金属框，否则会使导电橡胶变形致失效；
● 防静电损坏模块的CMOS电路，工作环境的湿度应在45CCRH以上； ● 在清洁模块时用软布沾溶剂（异丙醇、乙醇）轻轻擦拭，不要用水、
酮类、芳香烃类；
● 使用存放时不将LCD置于高温、高湿和阳光下； ● 不得在超限参数的情况使用模块。
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