专利名称：MEMS传感器封装结构及其形成方法专利类型：发明专利
发明人：王之奇,王宥军,谢国梁,胡汉青申请号：CN201611264764.7申请日：20161230公开号：CN106517085A公开日：20170322
摘要：一种MEMS传感器封装结构及其形成方法，其中封装结构包括：基板，包括第一表面和相对的第二表面，基板具有互连线路；陀螺仪传感器、加速度传感器和磁感应传感器，均包括正面和相对的背面，所述陀螺仪传感器的正面包括若干第一外接焊盘，加速度传感器的正面包括若干第二外接焊盘，磁感应传感器的正面包括若干第三外接焊盘；陀螺仪传感器和加速度传感器安装在基板的第一表面，陀螺仪传感器的第一外接焊盘与第一互连线路电连接，加速度传感器的第二外接焊盘与第二互连线路电连接；所述磁感应传感器安装在基板的第二表面，磁感应传感器的第三外接焊盘与互连线路电连接。本发明的结构实现对传感器的集成封装并减小了封装结构的体积。
申请人：苏州晶方半导体科技股份有限公司
地址：215021 江苏省苏州市苏州工业园区汀兰巷29号
国籍：CN
代理机构：北京集佳知识产权代理有限公司
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