（12）发明专利申请
（21）申请号 CN201110222147.1 （22）申请日 2011.08.04
（71）申请人 上海华力微电子有限公司
地址 201210 上海市浦东新区张江高科技园区高斯路568号
（10）申请公布号 CN102437012A
（43）申请公布日 2012.05.02
（72）发明人 李程;杨渝书;陈玉文;邱慈云 （74）专利代理机构 上海新天专利代理有限公司
代理人 王敏杰
（51）Int.CI
H01L21/00; H01J37/32;
权利要求说明书 说明书 幅图
（54）发明名称
一种改进的干法刻蚀腔体
（57）摘要
本发明公开了一种改进的干法刻蚀腔体，
包括刻蚀腔体，其中，还包括进气管和远程等离子发生装置，所述进气管与所述刻蚀腔体连接，所述远程等离子发生装置包括出气口和等离子发生腔体，所述远程等离子发生装置的出气口与所述进气管连接，所述等离子发生腔体产生等离子体由所述出气口进入所述进气管，并由所述进气
管导入所述刻蚀腔体内，所述等离子发生腔体与所述刻蚀腔体分离。本发明的有益效果是：改善双大马士革结构的一体化刻蚀制程中原位灰化制程本身固有的较高的离子损伤导致的表面粗糙度的增加，并提高一体化刻蚀制程的稳定性。
法律状态
法律状态公告日
2012-05-02 2012-06-27 2015-07-08
法律状态信息
公开
实质审查的生效
发明专利申请公布后的驳回法律状态
公开
实质审查的生效
发明专利申请公布后的驳回
权利要求说明书
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说明书
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