专利名称：薄膜晶体管、传感器、检测方法、检测装置及检测
系统
专利类型：发明专利
发明人：李广耀,汪军,王庆贺,王海涛,宋威,张扬,王东方,闫梁
臣
申请号：CN201910005159.5申请日：20190103公开号：CN109728098A公开日：20190507
摘要：本公开提供了一种薄膜晶体管、传感器、检测方法、检测装置及检测系统，其中，该薄膜晶体管包括：第一绝缘层、栅极、有源层、源极组件和漏极组件，第一绝缘层包括相对设置的第一面和第二面；栅极设置在第一绝缘层的第一面上；有源层设置在第一绝缘层的第二面上，有源层用于与待检测体内的铜离子反应；源极组件和漏极组件均设置在第一绝缘层的第二面上且分别位于有源层相对的两侧；该传感器包括电源、信号生成模块及如上的薄膜晶体管，电源分别与信号生成模块和薄膜晶体管连接；薄膜晶体管，用于与待检测体内的铜离子反应并生成检测信号；信号生成模块，用于基于检测信号生成体外可识别的通讯消息。本发明实施例能够检测待检测体内的铜离子浓度。
申请人：合肥鑫晟光电科技有限公司,京东方科技集团股份有限公司
地址：230012 安徽省合肥市新站区工业园内
国籍：CN
代理机构：北京金信知识产权代理有限公司
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